-自動(dòng)化高速薄膜厚度測(cè)量?jī)x

簡(jiǎn)要描述：顯示器薄膜測(cè)量?jī)x*的光學(xué)模塊可容納所有光學(xué)部件：分光計(jì)、復(fù)合光源(壽命10000小時(shí))、高精度反射探頭。因此，在準(zhǔn)確性、重現(xiàn)性和長(zhǎng)期穩(wěn)定性方面保證了優(yōu)異的性能。

產(chǎn)品型號(hào)：FR-Scanner AIO-Mic-RΘ150
廠商性質(zhì)：代理商
產(chǎn)品資料：
更新時(shí)間：2024-03-19
訪問(wèn) 量： 286

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詳細(xì)介紹

1、FR-Scanner-AIO-Mic-RΘ150介紹

模塊化厚度測(cè)繪系統(tǒng)平臺(tái)，集成了光學(xué)、電子和機(jī)械模塊，用于表征圖案化薄膜光學(xué)參數(shù)。典型案例包括（但不限于）微圖案表面、粗糙表面等。晶圓放置在真空吸盤(pán)上，該真空吸盤(pán)支持尺寸/直徑達(dá) 300 毫米的各種晶圓，執(zhí)行測(cè)量光斑尺寸小至幾微米的強(qiáng)大光學(xué)模塊。具超高精度和可重復(fù)性的電動(dòng)RΘ 載物臺(tái)，在速度、精度和可重復(fù)性方面具有出色的性能。

FR-Scanner-AIO-Mic-RΘ150提供：o 實(shí)時(shí)光譜反射率測(cè)量 o 薄膜厚度、光學(xué)特性、不均勻性測(cè)量、厚度測(cè)繪o 使用集成的、USB 連接的高質(zhì)量彩色相機(jī)進(jìn)行成像o 測(cè)量參數(shù)的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù) * 還提供用于測(cè)量更大直徑晶圓上涂層的工具（最大 450 毫米）

2、特征

o 單擊分析（無(wú)需初始猜測(cè)）

o 動(dòng)態(tài)測(cè)量

o 光學(xué)參數(shù)（n & k、色座標(biāo)）

o Click2Move 和圖案測(cè)量位置對(duì)齊功能

o 多個(gè)離線分析安裝

o 免費(fèi)軟件更新

3、規(guī)格

Model		UV/VIS	UV/NIR -EX	UV/NIR-HR	D UV/NIR	VIS/NIR	D VIS/NIR	NIR	NIR-N2
Spectral Range (nm)		200 – 850	200 –1020	200-1100	200 – 1700	370 –1020	370 – 1700	900 – 1700	900 - 1050
Spectrometer Pixels		3648	3648	3648	3648 & 512	3648	3648 & 512	512	3648
*Thickness range (SiO₂) 1**	5X- VIS/NIR	4nm – 60μm	4nm – 70μm	4nm – 100μm	4nm – 150μm	15nm – 90μm	15nm–150μm	100nm-150μm	4um – 1mm
	10X-VIS/NIR 10X-UV/NIR*	4nm – 50μm	4nm – 60μm	4nm – 80μm	4nm – 130μm	15nm – 80μm	15nm–130μm	100nm–130μm	–
	15X- UV/NIR *	4nm – 40μm	4nm – 50μm	4nm – 50μm	4nm – 120μm	–	–	100nm-100μm	–
	20X- VIS/NIR 20X- UV/NIR *	4nm – 25μm	4nm – 30μm	4nm – 30μm	4nm – 50μm	15nm – 30μm	15nm – 50μm	100nm – 50μm	–
	40X- UV/NIR *	4nm – 4μm	4nm – 4μm	4nm – 5μm	4nm – 6μm	–	–	–	–
	50X- VIS/NIR	–	–	–	–	15nm – 5μm	15nm – 5μm	100nm – 5μm	–
Min. Thickness for n & k		50nm	50nm	50nm	50nm	100nm	100nm	500nm	–
Thickness Accuracy 2**		0.1% or 1nm				0.2% or 2nm		3nm or 0.3%
Thickness Precision 3/4**		0.02nm				0.02nm		<1nm	5nm
Thickness stability 5**		0.05nm				0.05nm		<1nm	5nm
Light Source		Deuterium & Halogen				Halogen (internal), 3000h (MTBF)
R/Angle resolution		5μm/0.1^o
Material Database		> 700 different materials
Wafer size		2in-3in-4in-6in-8in-300mm
Scanning Speed		100meas/min (8’’ wafer size)
Tool footprint / Weight		650x500mm / 45Kg
Power		110V/230V, 50-60Hz, 350W

測(cè)量區(qū)域光斑（收集反射信號(hào)的區(qū)域）與物鏡和孔徑大小有關(guān)

物鏡	Spot Size (光斑)
放大倍率	500微米孔徑	250微米孔徑	100微米孔徑
5x	100 μm	50 μm	20 μm
10x	50 μm	25 μm	10 μm
20x	25 μm	15 μm	5 μm
50x	10 μm	5 μm	2 μm

4、工作原理

Principle of Operation 測(cè)量原理White Light Reflectance Spectroscopy (WLRS) 白光反射光譜是測(cè)量從單層薄膜或多層薄膜堆疊結(jié)構(gòu)的一個(gè)波長(zhǎng)范圍內(nèi)的反射量，入射光垂直于樣品表面，由于界面干涉產(chǎn)生的反射光譜被用來(lái)計(jì)算確定（透明或部分透明或wan'quan反射基板上）薄膜的厚度、光學(xué)常數(shù)（N&K）等。

圖片4.png

*1規(guī)格如有變更，恕不另行通知，*2與校正過(guò)的光譜橢偏儀和x射線衍射儀的測(cè)量結(jié)果匹配，*3超過(guò)15天平均值的標(biāo)準(zhǔn)偏差平均值，樣品:硅晶片上1微米SiO2，*4標(biāo)準(zhǔn)偏差100次厚度測(cè)量結(jié)果，樣品:硅晶片上1微米SiO2, *5 15天內(nèi)每日平均值的2*標(biāo)準(zhǔn)差。樣品:硅片上1微米SiO2。

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